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國星光電開發(fā)出Micro LED nStar Ⅱ,巨量轉移及鍵合良率達99.99%

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2022-09-09  瀏覽次數(shù):2801
核心提示:國星光電繼第一代玻璃基透明被動驅動Micro LED顯示模組——nStar Ⅰ之后,近日,公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。
   隨著5G時代超高清顯示新應用日漸興起,Micro LED作為新一代主流顯示技術備受關注,該技術具有高分辨率、高亮度、高色彩飽和度、高可靠性、低功耗、低延時、窄邊框、壽命長等諸多優(yōu)勢,可廣泛用于大尺寸的超高清視頻墻和智慧屏、中小尺寸的車載屏和智能手表以及VR/AR等各種尺寸的電子消費品領域,未來前景可期。
 

國星光電繼第一代玻璃基透明被動驅動Micro LED顯示模組——nStar Ⅰ之后,近日,公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ為一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩顯示屏,像素間距300微米(P0.3),采用TFT驅動實現(xiàn)了8bit(256灰階)色深的顯示效果;基于自主搭建的Micro LED 技術創(chuàng)新研發(fā)平臺,同時突破了巨量轉移及巨量鍵合雙重技術難題,其綜合良率提升至99.99%,相關技術成果未來有望在大尺寸拼接智慧屏等高清顯示產(chǎn)品中獲得廣泛應用。



Micro LED Display:nStar Ⅱ

nStar Ⅱ玻璃基主動式驅動Micro LED顯示屏是通過巨量轉移技術將Micro LED微型芯片鍵合到玻璃基板上,利用TFT驅動實現(xiàn)高清畫面顯示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工藝迭代過程中,可在大面積上獲得超精細線路結構的TFT玻璃基板是理想的技術選擇。主動式驅動TFT背板既能實現(xiàn)Micro LED模組像素獨立控制,避免驅動像素串擾,又能在提升模組顯示亮度均勻性的同時大大降低功耗。



    國星光電作為LED封裝技術的領跑者,自2018年國內(nèi)率先成立Mini & Micro LED研究中心后,2020年又成立了廣東省半導體微顯示重點實驗室,旨在加強與學術界及產(chǎn)業(yè)界協(xié)作,聯(lián)手產(chǎn)業(yè)鏈上中下游各個環(huán)節(jié),集中優(yōu)勢資源攻克微顯示行業(yè)技術性難題,合力打破技術發(fā)展瓶頸,共同推進Mini/Micro LED產(chǎn)業(yè)化進程。目前,公司已在巨量轉移、共晶鍵合、量子點全彩化、檢測修復、高可靠性封裝等Micro LED領域多項關鍵技術上取得突破,Mini/Micro LED領域已申請發(fā)明專利100余件。接下來,國星光電布局深耕新型微顯示賽道,在玻璃基Micro LED技術路線方面,將重點布局高端智慧屏、車載顯示屏和智能手表;在硅基Micro LED技術路線方面,重點布局AR顯示領域。

   數(shù)字時代,顯示產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為升級信息消費、壯大數(shù)字經(jīng)濟、發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)的關鍵基石。Mini/Micro LED的時代正在到來,國星光電將進一步發(fā)揮LED垂直產(chǎn)業(yè)鏈資源整合優(yōu)勢,加速推動更全面、更廣泛的Mini/Micro LED商業(yè)化顯示應用。


 


 
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