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國內LED關鍵設備MOCVD如何實現(xiàn)“彎道超越”?

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2014-05-10  來源:科技日報  瀏覽次數(shù):559
核心提示:5月7日,第十三屆全國MOCVD學術會議在半導體照明產業(yè)重要基地——江蘇省揚州市召開。來自大陸和臺灣、香港兩地的500多名科研院所和國家“千人計劃”的專家與企業(yè)家,共同就我國MOCVD(金屬有機化合物化學氣相淀積,是金屬有機化學氣相沉積外延片爐,用于生產LED芯片)行業(yè)技術創(chuàng)新、市場應用、發(fā)展現(xiàn)狀以及未來趨勢等進行深入研討,并集中發(fā)布一批最新科技成果。
     5月7日,第十三屆全國MOCVD學術會議在半導體照明產業(yè)重要基地——江蘇省揚州市召開。來自大陸和臺灣、香港兩地的500多名科研院所和國家“千人計劃”的專家與企業(yè)家,共同就我國MOCVD(金屬有機化合物化學氣相淀積,是金屬有機化學氣相沉積外延片爐,用于生產LED芯片)行業(yè)技術創(chuàng)新、市場應用、發(fā)展現(xiàn)狀以及未來趨勢等進行深入研討,并集中發(fā)布一批最新科技成果。
 
  從此次會議上了解到,我國半導體照明產業(yè)自列入“十一五”中長期發(fā)展規(guī)劃以來,在國家和地方政策的重點扶持下,通過政產學研合作途徑,加大技術創(chuàng)新力度,攻克了一些關鍵性技術難題,LED產業(yè)快速向上衍生,應用與封裝發(fā)展水平與國外基本持平。尤其是上游原材料以及MOCVD設備更是迎頭趕上,用于照明用的大功率的特性襯底技術,加工穩(wěn)定性以及對外延效率與國外相比,差距快速縮小。同時,外延片的亮度、內量子效率、抗靜電能力、抗漏電能力以及品質控制水平等,與國外知名企業(yè)的產品差距不大。目前,紅黃光LED、顯示用LED外延已非常成熟,照明用LED外延技術也已經達到較高水平。到去年底,從MOCVD技術發(fā)展來看,關鍵技術產品替代進口達75%左右。專家認為,盡管我國MOCVD已形成一個高科技產業(yè),但我國整體與國外仍有明顯差距,核心技術還依靠進口,急需重點突破,我國才能夠實現(xiàn)“彎道超越”。
 
 
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