專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于離子注入的InGaN全彩MicroLED器件制備方法，包括制備紅、綠、藍(lán)三色I(xiàn)nGaN多量子阱堆疊外延片；通過(guò)光刻定義像素圖形后，注入特定離子形成高阻絕緣層，實(shí)現(xiàn)像素電學(xué)隔離；刻蝕深孔暴露各顏色發(fā)光層的接觸區(qū)域；沉積絕緣介質(zhì)層并回刻，通過(guò)物理氣相沉積和剝離工藝制備電極并互聯(lián)；經(jīng)減薄、切割、封裝得到器件；本發(fā)明以離子注入替代多次選擇性刻蝕，從根本上減少量子阱損傷，簡(jiǎn)化工藝流程，提升器件發(fā)光效率與一致性；深孔垂直電極結(jié)構(gòu)增強(qiáng)接觸可靠性，利于高密度集成；器件像素密度可達(dá)20005000PPI，良率≥88%，適用于VR/AR、高清顯示等場(chǎng)景，具有重要應(yīng)用價(jià)值。

天眼查資料顯示，微玖（蘇州）光電科技有限公司，成立于2023年，位于蘇州市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本537.9214萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，微玖（蘇州）光電科技有限公司共對(duì)外投資了1家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目1次，專利信息33條。